Ddr3 и ddr3l. разница между типами оперативной памяти

Можно ли ставить планки памяти разного типа

Планки оперативной памяти разного типа ставить одновременно нельзя. Контроллеры, работающие с ОЗУ DDR2, DDR3 и DDR4, архитектурно отличаются. Также вставить планку не того разъема не выйдет физически. Модули DIMM хоть и имеют одинаковый форм-фактор, но ключ (вырез) препятствует неправильной установке. Установить DDR3 вместо DDR4 ( или наоборот) без повреждения разъема невозможно.

Гибридные материнские платы, оснащенные слотами двух типов (DDR2 и DDR3 или DDR3 и DDR4), выпускались с сокетами AM3, 775 и 1151 в качестве переходного решения. Их реализация стала возможна благодаря гибридным контроллерам ОЗУ, используемым в чипсете или процессоре. Однако ЦП не может одновременно работать с двумя поколениями ОЗУ, поэтому в условной ASRock B150M Combo-G можно одновременно использовать только две планки DDR3 или DDR4, но не оба типа вместе.

What is DDR3?

DDR3, which stands for Double Data Rate Type 3, is a type of Dynamic Random Access Memory (DRAM), which came as the successor of DDR and DDR2. It was released to the market in 2007 and today most computers and laptops in the market use DDR3 as the RAM. The voltage specification for DDR is 1.5 V and, therefore, it consumes very less power when compared to its predecessors DDR and DDR2. DDR3 standard allows chips up to capacity 8 GB. DDR3 RAM are available for different frequencies such as 800, 1066, 1333, 1600, 1866, 2133 MHz. A DDR3 RAM module used for personal computers has 240 pins and the length is 133.35 mm. The DDR3 modules used on laptops are called SO-DIMM and its length is much smaller with a length of 67.6 mm and less number of pins, which is 204 pins.

Можно ли ставить память с разными таймингами

Устанавливать оперативную память с разными таймингами можно, как и планки отличающегося объема или частоты. В таком случае тоже происходит выравнивание скоростей по самому медленному элементу. Если одна планка имеет задержки CL15, а вторая – CL17, то они будут работать вместе с таймингами CL17. Как и при несовпадении частот, если с двумя планками компьютер не стартует, нужно вручную снизить частоту и увеличить задержки в настройках UEFI BIOS.

В большинстве случаев ставить разную оперативную память можно, все будет работать в штатном режиме. Поэтому если альтернативы нет, вы можете покупать модули DDR3 или DDR4, отличающиеся от установленных. Главное, перед этим проверьте характеристики материнской платы и процессора, чтобы удостовериться, что нужный вам объем ОЗУ ими поддерживается.

Чтобы минимизировать риск несовместимости, в первую очередь учитывайте частоту и задержки. Далее за ними следует объем, а вот производитель играет последнюю роль. То есть, к примеру, к модулю 8 ГБ DDR4-2133 CL15 Kingston лучше поставить 4 или 8 ГБ DDR4-2133 CL15 Samsung, чем 8 ГБ DDR4-2400 CL17 Kingston.

Можно ли ставить память с разной частотой и таймингами

Ответ на этот вопрос для памяти DDR4 и DDR3 — практически всегда да. Память будет работать. Но будет делать это на частотах и таймингах менее производительной планки памяти. Проблем с двухканальным режимом обычно также не возникает (при условии одинакового объема памяти каждого модуля).

Если по какой-то причине частота и тайминги менее производительного модуля RAM не поддерживаются более быстрой планкой, то БИОС выставит те параметры (ещё ниже), которые будут безопасны и поддерживаются обоими модулями: таковая найдется, так как все они в любом случае могут работать с базовыми параметрами для своего типа памяти.

Разный объём планок оперативной памяти

Самый распространённый вопрос, возникающий при расширении ОЗУ, – можно ли поставить на компьютер разные планки оперативной памяти и будет ли корректно функционировать такой симбиоз. Ответ – да, никаких проблем с совместимостью при этом не возникнет, всё будет нормально. Главное, чтобы общий объём не превышал максимально допустимый лимит материнской платы.

DDR3 планка ОЗУ с 4ГБ памяти

Другое дело, что оперативная память с планками разного объёма не может работать в режиме Dual-channel (двухканальном). Так, добиться той производительности, которую выдают два одинаковых модуля, не удастся, разные плашки работают медленнее. То же касается и современных систем с поддержкой четырёхканального режима функционирования. Как правило, разница не заметна глазу, но в некоторых случаях она явно проявляется, например, когда используется интегрированная графика при работе ОЗУ в двухканальном режиме прирост производительности заметно выше (примерно на 10-30 % или больше).

При этом скорость работы повышается путём установки парного количества планок с одинаковой тактовой частотой. Здесь всё зависит от количества слотов под ОЗУ, предусмотренного производителем платы. Если предполагается два разъёма, память устанавливают в оба (две планки по 4 ГБ работают быстрее, чем одна на 8 ГБ). При наличии четырёх слотов модули должны занять 1 и 3 или 2 и 4 разъёмы, а в случае шести – для реализации многоканального режима потребуется обзавестись тремя планками памяти, устанавливаемыми в 1, 3 и 5 разъёмы. Кроме одинаковой частоты и ёмкости плашек ОЗУ, они должны также быть одинакового типа.

Что касается максимально допустимого объёма, обозначенный максимум практически во всех случаях можно поставить только, заполнив все слоты равными по объёму планками ОЗУ. Так, если на ноутбуке максимум установлен в 16 ГБ, а слота 2, ставим 2 модуля по 8 ГБ (устанавливать один на 16 ГБ недопустимо). Аналогично поступаем и если плата компьютера оснащена 4 разъёмами, и максимальный объём составляет 32 ГБ, заполнить их можно также плашками по 8 ГБ (ставить 2 по 16 ГБ нельзя). Есть и исключения в случае с ПК, так что перед установкой нужно ознакомиться с документацией к материнке.

Технические характеристики

Прежде чем говорить, что лучше DDR3 или DDR4 и проводить их сравнения следует подробно ознакомиться с их техническими характеристиками и возможностями, а также их преимуществами и недостатками. Данный подход позволит правильно и точно определить будущее модулей памяти и выявить перспективный образец.

DDR3

Основными характеристиками для оперативной памяти не зависимо от ее поколения являются следующие характеристики:

• Частота. ОЗУ третьей модели выпускается с частотой 1066 МГц, 1333 МГц и 1600 МГц, а последняя модификация имеет 1866 МГц. При помощи разгона памяти ее частоту можно повысить до 2400 – 2666 МГц. Максимальное значение этого параметра при разгоне, которое было получено в лабораторных условиях, составляет 4620 МГц.
• Напряжение. Энергопотребление варьируется в диапазоне 1,5 – 1,8 В. Последняя версия DDR3L способна работать при низком напряжении 1,25 – 1,35 В. Индекс L означает Low Power (с англ. – малая мощность).
• Время простоя. Для определения производительности планки памяти одним из важных параметров являются тайминги или латентность (CL), т. е. задержка при передаче информации. DDR3 1600 МГц имеет задержку равную 9 тактам, для получения временного значения необходимо 1 сек. разделить на 1600 млн. тактов и получаем 0,625 мс на 1 такт. Результат умножаем на 9 тактов и получаем 5,625 нс. Далее умножаем на 2 (количество потоков передачи данных) и время задержки составляет 11,25 нс.

Совет. Значение латентности можно определить из маркировки оперативной памяти после букв CL. Соответственно, чем ее значение меньше, тем выше производительность устройства.

DDR4

ОЗУ четвертого поколения обладает более высокими параметрами технических характеристик, за счет которых оно обходит своего предшественника.

• Частота. Минимальное значение тактовой частоты составляет 2133 МГц, при оптимизации необходимых процессов ее можно повысить от 2800 до 3000 МГц. При выполнении разгона оборудования параметр легко увеличит до 4800 МГц.
• Энергопотребление. Оперативная память DDR4 разрабатывалась для работы с низковольтным напряжением. Для частотного диапазона 2133 – 2400 МГц значение напряжения составляет 1,2 В, что в несколько раз снижает объем выделяемой тепловой энергии.

• Тайминг. Латентность ОЗУ четвертой модификации для 2133 МГц составляет 15 тактов, в переводе на время задержка равна 14 нс.

Конструкция DDR

Прежде чем определять различия между DDR3 и DDR3L следует ознакомиться с конструкцией ОЗУ типа DDR. Оперативная память собрана на форм-факторе своего предшественника DIMM. Платформу оснастили микросхемами, которые собираются в корпусах TSOP BGA и транзисторов, благодаря чему передача информации осуществлялась как по фронту, так и спаду. Осуществление двойной передачи данных за один такт стало возможным за счет реализации в компьютерной архитектуре технологии 2n Prefetch.

От характеристик оперативной памяти зависит производительность ПК

Развитие компьютерных технологий и внедрение в производство инновационных привело к тому, что микросхемы для модуля оперативного запоминающего устройства типа DDR3 стали изготавливаться только в корпусах BGA. Это же способствовало модернизации транзисторов, и появились новые модели с двойным затвором Dual-gate. Применения данной технологии позволило сократить величину токов утечки и повысить производительность ОЗУ. Так в ходе своего развития энергопотребление блока памяти снижалось: DDR – 2,6 В, DDR2 – 1,8 В и DDR3 – 1,5 В.

Определение параметров

Перед тем как поставить новую «оперативку» пользователь должен знать:

• Какой тип ОЗУ используется компьютером (DDR4, DDR3 или более ранние версии).
• Есть ли место для установки новых микросхем (у большинства «материнок» их 2 или 4, но иногда встречается и большее количество).
• Какую скорость работы поддерживают ЦПУ и материнская плата (частота оперативной памяти и процессора не совпадают, но должны соответствовать друг другу).
• Какие параметры имеет установленная «оперативка».

Ответить на вопросы поможет бесплатная утилита CPU‑Z. Ещё больше информации позволяют получить платные программы типа AIDA64. При наличии места и всех необходимых сведений переходят к подбору подходящего варианта.

Как различить и совместимость

Чтобы верно определить, к какому стандарту относится модуль, нужно знать чем отличается DDR3 от DDR3l. Разберемся в чем разница между DDR3 и DDR3l с точки зрения маркировки.

На модулях DDR3, как правило, присутствует маркировка PC3, тогда как на низковольтной памяти ставится PC3L. Кроме того, в некоторых случаях указывается и напряжение питания, 1,5v для ддр3 и 1,35v для ддр3л соответственно.

Из-за одинакового форм-фактора и расположения ключа, можно вставить модуль DDR3 в разъем на материнской плате, рассчитанной на DDR3L, или наоборот. К чему может привести подобная невнимательность?

Если модуль памяти рассчитан на напряжение в 1,5 вольта, а получает только 1,35 вольта, то, весьма вероятно, он будет вести себя нестабильно, становясь причиной регулярных зависаний и внезапных перезагрузок системы. Впрочем, вполне возможна ситуация, когда планка ОЗУ будет нормально работать. Особенно если немного повысить тайминги и снизить частоту, тогда шанс на бесперебойную работу увеличится, пусть и ценой некоторого снижения быстродействия. Но стоит ли рисковать?

Казалось бы, достаточно поднять напряжение, ведь многие материнские платы позволяют это. Да, тогда получится ситуация вполне типичная для разгона, когда для нормальной работы приходится повышать напряжение.

Стоит отметить, что процессоры intel, начиная с поколения Skylake, рассчитаны только на работу с низковольтной DDR3l памятью. По утверждению представителей компании, в долгосрочной перспективе работа процессоров 6 и более поздних поколений архитектуры Core с памятью рассчитанной на напряжение 1,5 вольт, может навредить CPU.

Получается, что заставить работать модуль DDR3 с системной платой и процессором, рассчитанными на DDR3l, во многих случаях можно. Но, в результате всех предпринятых усилий легко получить нестабильно работающий компьютер. Память DDR3 сложно считать универсальным решением для любой конфигурации, чем она также отличается от DDR3l.

Лучшим способом приобрести нужную память, это открыть свой ноутбук, достать модуль памяти и списать его характеристики или взять его в магазин. Так же можно воспользоваться ПО для просмотра аппаратной начинки компа (типа CPU-Z) и зайти во вкладку SPD.

Второй вариант — использование модуля, рассчитанного на низкое напряжение, в старой материнской плате, поддерживающей DDR3. Исходя из требований JESD79‐3‐1A.01, документа, в котором регламентирован стандарт DDR3L, любой модуль должен быть обратно совместим со обычным DDR3.

Рекомендации по выбору

Рассматривая совместимость ОЗУ, следует учесть не только частоту и объём, но и нежелательность выбора планок разного производителя. Продукция каждой компании отличается технологией изготовления и таймингами, из-за чего скорость может снижаться, а в работе компьютера могут появляются системные ошибки.

Чтобы избежать проблем, рекомендуем грамотно подходить к выбору ОЗУ и покупать сразу нужный объем модулей, полностью совпадающих по характеристикам. Желательно, чтобы одинаковыми была марка, размер и тактовые характеристики.

Короткий ответ на главный вопрос статьи и мое мнение: Поставить ОЗУ с отличающейся герцовкой можно, но я бы не рекомендовал. Рассматривал бы это вариант, только если на рынке комплектующих не было подходящего предложения.

На этом список нюансов, которые следует учитывать при выборе «оперативки», можно считать законченным и пожелать читателем удачи.

Для получения другой полезной информации о компьютерных комплектующих, их совместимости и особенностях установки или замены, советуем вам подписаться на этот блог и рекомендовать прочитать его своим друзьям.

Особенности оперативной памяти DDR3

Планки ОЗУ выпускаются от 1 ГБ до 16 ГБ, а частота памяти может находиться в диапазоне 100 – 300 МГц, а шины от 400 до 120 МГц. В зависимости от частоты шины оперативная память DDR3 обладает разной пропускной способностью:

• DDR3-1600 – от 2400 до 2500 МБ/сек;
• DDR3-1866 – от 2800 до 2900 МБ/сек;
• DDR3-2133 – от 3200 до 3500 МБ/сек;
• DDR3-2400 – от 3400 до 3750 МБ/сек.

Оптимальными значениями частоты шины оперативно запоминающего устройства являются 1066 – 1600 МГц. При увеличении частоты возрастает энергопотребление модуля памяти вплоть до 1,65 В при частоте шины 2400 МГц. Подобное явление ведет за собой нагрев планок и обильное выделение тепловой энергии. Для устранения подобного недостатка высокопроизводительные платы ОЗУ оснащаются системой пассивного охлаждения, т. е. радиаторами из алюминиевого сплава, которые устанавливаются двустороннюю липкую ленту-термоинтерфейс.

Также повышение энергопотребления может осуществляться при разгоне компьютера или выполнении определенных действий (операций). Это осуществляется внутренними преобразователями за счет использования в планках оперативной памяти DDR3 напряжения Vddr. Следует помнить, что это также ведет к излишнему выделению количества тепла.

Внимание! Выделение количества тепловой энергии выше установленного значения приводит к снижению общей производительности компьютера, появлению «зависания» и «тормозов» операционной системы и выполняемых программ.

Структура DDR3 насчитывает 8 банков памяти, а величина строки ее чипа составляет 2048 байт. Подобное строение, а также недостатки технологии SSTL, из-за которой возможны утечки токов появляются длинные тайминги в работе оперативно запоминающего устройства. Это также приводит к относительно медленному переключению между чипами памяти.

What is DDR3L?

DDR3L is a special type of DDR3 RAM where the letter ‘L’ refers to low voltage standard. DDR3L uses just 1.35V, which is 0.15V lower than what is used in DDR3. The advantage of working under a low voltage is that the power consumption is low. The less power consumption means a better battery life can be achieved. Because of this DDR3L is mostly used in mobile devices such as laptops and embedded devices rather than in PCs. An added advantage of low power consumption is less heat generation, which is again useful for compact mobile devices. The other specifications such as memory density, frequencies and the protocols are same as in DDR3. DDR3L RAM is generally available as SO-DIMM modules that are 67.5 mm having just 204 pins rather than longer DIMM modules. Reason is that DDR3L is targeted for mobile devices and they have SO-DIMM slots.

Разбираемся с таймингами

вот читай там все написаноа вообще то кажется где то тут такая тема уже была

спасбо

Добавлено спустя 7 минут 14 секунд: короче,я так понял чем тайминги ниже тем лучше

При 4-4-4-13 в тестах Prime95 и S&M после 10мин.посыпались ошибки:-( Лечится повышением напряжения памяти? Сейчас выставлю 5-5-5-15 и прогоню все тесты ещё раз.

Добавлено спустя 1 час 31 минуту 44 секунды: Погонял тесты при 5-5-5-15 всё стабильно! Можно оставлять? Или рекомендуете ещё понизить?

Стоит у меня 4 планки—— —————————-Property ValueMaximum Capacity 4096 MBytesMaximum Memory Module Size 1024 MBytesMemory Slots 4Error Correction NoneDRAM Frequency 133.3 MHzMemory Timings 3-3-3-7 (CL-RCD-RP-RAS) —— ———————————————-Property ValueManufacturer Transcend InformationPart Number TS32MLD64V4FSerial Number 00018E9ECapacity 256 MBytesMemory Type DDR (PC3200)Speed 200 MHzSupported Frequencies 166 MHz, 200 MHzMemory Timings 2-3-3-7-0 at 166 MHz, at 2.5 volts (CL-RCD-RP-RAS-RC)Memory Timings 2-3-3-8-0 at 200 MHz, at 2.5 volts (CL-RCD-RP-RAS-RC)Data Width 64 bitsEPP SPD Support NoXMP SPD Support No —- ———————————————-Property ValueManufacturer Transcend InformationPart Number TS32MLD64V4FSerial Number 00018E9CCapacity 256 MBytesMemory Type DDR (PC3200)Speed 200 MHzSupported Frequencies 166 MHz, 200 MHzMemory Timings 2-3-3-7-0 at 166 MHz, at 2.5 volts (CL-RCD-RP-RAS-RC)Memory Timings 2-3-3-8-0 at 200 MHz, at 2.5 volts (CL-RCD-RP-RAS-RC)Data Width 64 bitsEPP SPD Support NoXMP SPD Support No —— ———————————————Property ValueManufacturer Transcend InformationPart Number TS32MLD64V4FSerial Number 00018EF5Capacity 256 MBytesMemory Type DDR (PC3200)Speed 200 MHzSupported Frequencies 166 MHz, 200 MHzMemory Timings 2-3-3-7-0 at 166 MHz, at 2.5 volts (CL-RCD-RP-RAS-RC)Memory Timings 2-3-3-8-0 at 200 MHz, at 2.5 volts (CL-RCD-RP-RAS-RC)Data Width 64 bitsEPP SPD Support NoXMP SPD Support No —- ——-Property ValueCapacity 256 MBytesMemory Type DDR (PC2100)Speed 133 MHzSupported Frequencies 100 MHz, 133 MHzMemory Timings 2-2-2-5-0 at 100 MHz, at 2.5 volts (CL-RCD-RP-RAS-RC)Memory Timings 2-3-3-7-0 at 133 MHz, at 2.5 volts (CL-RCD-RP-RAS-RC)Data Width 64 bitsEPP SPD Support NoXMP SPD Support No

на одной тайминг 2-3-3-7-0 на других выше 2-3-3-8-0 Будет какие нибудь побочные эффекты из за этого?

следующий раз не создавайте отдельную тему

Смотря какие тайминги поставишь. Вся память будет работать на одинаковых таймингах, так что если поставишь 2-3-3-8, то все ок будет, а если 2-3-3-7, то остальные планки могут и не заработать с такими настройками.

Добавлено спустя 2 минуты 19 секунд: Забей, я не заметил, что для последнего модуля тайминги 2-3-3-7 для работы на частоте 133, она у тебя может даже и не завестись на 200мгц. Избавься от этой планки и купи такую, как все остальные.

Можно ли ставить на компьютер разные планки ОЗУ

При апгрейде оборудования важно не упускать из виду вопрос совместимости компонентов. Поскольку планируется увеличение производительности компьютера, под этим, в том числе подразумевается обеспечение корректного функционирования всех элементов в связке, ведь аппаратной составляющей, в частности несовместимостью по определённым параметрам, вызваны многие проблемы в работе устройства

Так, сталкиваясь с необходимостью расширения ОЗУ, пользователи часто задаются вопросом, будет ли совместима новая планка с той, что уже установлена и функционирует на текущий момент, что будет, если поставить разную оперативную память и должны ли в точности совпадать все параметры

Брать во внимание DDR и DDR2 не станем, времена ранних поколений ОЗУ прошли и те проблемы, которые возникали впоследствии установки больше одной плашки тоже уже в прошлом. Информация в данном материале будет касаться актуальных сегодня типов DDR3 и DDR4

Очевидно, что нельзя просто купить дополнительный модуль и просто вставить его в свободный слот без учёта необходимых параметров при выборе памяти, как и поставить DDR3 вместо DDR4 или наоборот. В идеале при расширении ОЗУ нужно добавлять аналогичную по всем характеристикам планку памяти, тогда не придётся переживать о некорректной работе девайса, но такая возможность существует не всегда. Как известно, конфликт оборудования провоцирует проблемы если не сразу, то уже по ходу использования компьютера, поэтому соблюдение ряда условий при замене или добавлении RAM является залогом успешного апгрейда. Рассмотрим, можно ли ставить разные планки оперативной памяти, отличающиеся частотой, объёмом, таймингами, напряжением или производителем на один компьютер, а также что обязательно следует учитывать при составлении комбинаций во избежание неуживчивости элементов друг с другом.

Сравнение DDR3 и DDR4

Исходя из технических характеристик видно, что время задержки у DDR4 выше, чем у ее предшественника. Однако при линейном чтении данных или их сохранении за счет практически не меняющихся таймингов эта разница компенсируется, и ОЗУ четвертой модели выигрывает. При работе в многопоточном режиме за счет меньшей латентности выигрывает DDR3 в пределах статистической погрешности. Выполняя сжатие файлов большого размера (объем от 1,5 ГБ и выше), потраченное время на операцию у DDR4 на 3 % меньше, чем у DDR3. Спецификация оперативной памяти третьего поколения предусматривает использование Vddr напряжение. При осуществлении энергозатратных операций оно повышается за счет встроенных преобразователей, тем самым происходит обильное излучение тепла. Модуль DDR4 получает необходимое напряжение от внешнего источника питания (Vpp).

В ОЗУ четвертой модели реализована технология Pseudo-Open Draid, она позволила полностью устранить утечки тока, что наблюдалось в предыдущей версии, где используется Series-Stub Terminated Logic. Применение данного интерфейса для ввода и вывода данных позволило снизить потребление энергии до 30 %. Что касается объема памяти планки DDR4, то минимальное значение составляет 4 ГБ, а для DDR3 оно является оптимальным т. к. максимальное равно 8 ГБ. Структура оперативной памяти третьего поколения позволяет разместить до 8 банков памяти с длиной строки 2048 байт. Последняя модификация ОЗУ имеет 16 банков и длину строки 512 байт, что увеличивает скорость переключения между строками и банками.

Из сравнения DDR3 и DDR4 можно сделать вывод, что последнее поколение ОЗУ обходит своего предшественника практически по всем параметрам, но эта разница мало заметна для обычного пользователя. Оперативная память DDR3L 1600 МГц в сочетании с процессором Intel Core i5 практически не уступают DDR4. ОЗУ четвертого поколения рекомендуется устанавливать для современных игр или работы в специализированных программах, которые требуют большого объема памяти и высокой скорости обработки данных.

What is the difference between D DR3 and DD R3L?

• DDR3L is a special type of DDR3 where L refers to low voltage standard.

• DDR3 needs a voltage of 1.5V while DDR3L needs only 1.35V.

• DDR3L consumes less power than DDR3.

• DDR3L generates less heat when compared to DDR3.

• DDR3L is mostly used in mobile devices such as laptops and embedded devices while DDR3 is mostly used in personal computers. However, the re are mobile devices, which use DDR3 as well.

• The market price of a DDR3L module is higher than the market price of a DDR3 module.

Summary:

Можно ли ставить память с разной частотой и таймингами

Скорость обмена данными между процессором и жёстким диском и системой обусловлена скоростными показателями RAM. Так, чем выше частота работы планок, тем больше операций чтения/записи выполняется за единицу времени. Быстродействие компьютера обеспечивается и объёмом памяти, но это касается определённого софта. Тайминги (задержки), обозначенные в цифрах, указывают на то, какой промежуток времени потребуется планке памяти, чтобы получить доступ к битам данных. Таким образом, быстродействие и стабильное функционирование ОЗУ зависит от частоты и таймингов модулей.

Комплект памяти DDR4 DIMM 16Gb

Ещё один вопрос, терзающий пользователей, решивших повысить производительность устройства, – можно ли ставить на компьютер оперативную память разной частоты, а также с разными таймингами. Практически во всех случаях, что касается DDR3 и DDR4 ответить можно положительно. ОЗУ работать будет, что касается двухканального режима, то данный показатель некритичен при сохранении условия одинакового объёма каждого из модулей, при этом снижается эффективность процесса, поскольку функционирование осуществляется на частотах и таймингах менее производительной планки, на что влияет разная частота плашек. Контроллер считывает информацию, хранящуюся в собственных микросхемах каждой единицы RAM, и выбирает оптимальный режим, тот, при котором смогут работать все модули ОЗУ, находящиеся в связке. То есть, если одна плашка имеет частоту 1333 МГц, а другая – 1600 МГц, то обе они будут функционировать на частоте 1333 МГц.

Иногда изменение характеристик происходит по другому принципу, и установленные модули начинают работать на частоте, указанной в настройках материнской платы. В том случае, если более производительной планкой не поддерживаются частота и тайминги менее быстрой, BIOS выставит соответствующие параметры, поддерживаемые обоими модулями оперативной памяти.

DDR3 + DDR3L = ?

Возможно ли совместное использование двух модулей RAM, один из которых DDR-3, а второй – DDR-3L? Чем второй отличается от первого?

Память DDR3 длительное время была безальтернативным выбором. И лишь незадолго до выхода на рынок DDR4 увидела свет ее новая модификация – DDR3L. Литера «L» в названии последней означает «low voltage» – низковольтная.

Оперативка DDR3L питается от напряжения 1,35 V, а ее предшественница потребляет 1,5 V – это и есть их главное различие. Внешне планки того и другого типа выгладят одинаково.

Стандарт DDR3L полностью совместим с материнскими платами и процессорами, предназначенными для DDR3, но не наоборот. Так, процессоры Intel микроархитектуры Skylake S официально не поддерживают DDR 3, хотя поддерживают DDR 3L.

Совместное использование модулей того и другого типа иногда возможно, но нежелательно. Вся память, установленная в слоты одной материнской платы, питается от напряжения одинакового уровня, поэтому в оптимальных условиях будет находиться только одна из планок. Компьютеры с такой конфигурацией ОЗУ работают, как правило, нестабильно, а некоторые и вовсе не включаются.